Wynik wyszukiwania
Zapytanie: BLAHO M
Liczba odnalezionych rekordów: 2



Przejście do opcji zmiany formatu | Wyświetlenie wyników w wersji do druku | Pobranie pliku do edytora | Przesłanie wyników do modułu analizy | excel | Nowe wyszukiwanie
1/2
Nr opisu: 0000116389
Tytuł oryginału: Influence of oxygen-plasma treatment on AlGaN/GaN metal-oxide-semiconductor heterostructure field-effect transistors with HfO2 by atomic layer deposition: leakage current and density of states reduction
Autorzy: R. Stoklas, D. Gregusova, M. Blaho, K. Frohlich, J. Novak, Maciej* Matys, Z. Yatabe, P. Kordos, T. Hashizume.
Źródło: -Semicond. Sci. Technol. 2017 vol. 32 iss. 4, art. no. 045018, bibliogr. 29 poz.
Impact Factor: 2.280
Punktacja MNiSW: 30.000
p-ISSN: 0268-1242
e-ISSN: 1361-6641
DOI:
Słowa kluczowe polskie: AlGaN/GaN ; stany międzypowierzchni ; dielektryk HfO2 ; XPS ; ALD
Słowa kluczowe angielskie: AlGaN/GaN ; interface states ; HfO2 dielectric ; XPS ; ALD ; oxygen-plasma treatment
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.


2/2
Nr opisu: 0000117236
Tytuł oryginału: Origin of positive fixed charge at insulator/AlGaN interfaces and its control by AlGaN composition
Autorzy: Maciej* Matys, R. Stoklas, M. Blaho, Bogusława Adamowicz.
Źródło: -Appl. Phys. Lett. 2017 vol. 110 iss. 24, s. 243505-1 - 243505-5, bibliogr. 26 poz.
Impact Factor: 3.495
Punktacja MNiSW: 40.000
p-ISSN: 0003-6951
e-ISSN: 1077-3118
DOI:
Typ publikacji: A
Język publikacji: ENG
Zasieg terytorialny: Z
Afiliacja: praca afiliowana w PŚl.
Dostęp on-line:


stosując format:
Nowe wyszukiwanie